29 августа, 12:11

Новосибирские ученые создали самую быструю в мире флешку

Новосибирские ученые Института физики полупроводников заявили, что создали самую быструю флешку в мире. Устройство памяти создано на основе мультиграфена.

Принцип действия флешки основан на впрыскивании и хранении электрического заряда в запоминающей среде. Помимо этого необходимыми компонентами устройства являются туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости. 

«Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», — рассказал старший научный сотрудник ИФП СО РАН, кандидат физико-математических наук Юрий Новиков.

Образцы инновационных флеш-карт уже разработаны. Однако для внедрения их в производство для коммерческого применения необходим завод, строительство которого обойдется примерно в пять миллиардов долларов, отметил ученый. 

Подписывайтесь на нас в Telegram: https://telegram.me/reporteropen